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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類(lèi)

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

單價(jià)

操作

TLE4263-2ES

產(chǎn)品說(shuō)明：?jiǎn)瓮ǖ?5 V 低壓降穩(wěn)壓器 DSO-8

封裝：DSO-8
10起
6000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BTS50005-1LUA

產(chǎn)品說(shuō)明：?jiǎn)瓮ǖ乐悄芨邏簜?cè)電源開(kāi)關(guān)提供保護(hù)功能和診斷功能

封裝：PG-HSOF-8
10起
4000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62167G30-45ZXI

產(chǎn)品說(shuō)明：16Mb MoBL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 With ECC

封裝：TFSOP-48
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY8C24223A-24PVXIT

產(chǎn)品說(shuō)明：8位微控制器 -MCU 4Kb Flsh 256B RAM IND

封裝：SSOP-20
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R034M2H

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、34mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管，TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2H

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、53mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管，TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC026N08NS5

產(chǎn)品說(shuō)明：用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V

封裝：TDSON-8
10起
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW50N65WR5

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、50 A IGBT，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247 封裝

封裝：TO-247-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD65R080D2

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管

封裝：PG-LSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC033S101

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，2.4 m?

封裝：PG-VSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC025S08S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3，1.8 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC019S06S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3，1.3 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC090S20S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 43 A ?200 V G3，6.7 m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGC037S12S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 71 A ?120 V G3，2.7m?

封裝：PG-TSON-6
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGB110S10S1

產(chǎn)品說(shuō)明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

封裝：PG-TSON-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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