M95640-DRDW8TP/K 是一款 64-Kbit 串行 EEPROM 器件，工作溫度高達(dá) 105 °C。M95640-DRDW8TP/K 符合 AEC-Q100 等級(jí) 2 規(guī)定的可靠性水平。

該器件通過一個(gè)簡(jiǎn)單的串行 SPI 兼容接口訪問，運(yùn)行頻率高達(dá) 20 MHz。

存儲(chǔ)器陣列基于先進(jìn)的真正 EEPROM 技術(shù)（電可擦除可編程存儲(chǔ)器）。M95640-DRDW8TP/K 是一種字節(jié)可更改存儲(chǔ)器（8192 × 8 位），分為 256 頁，每頁 32 個(gè)字節(jié)，其中的嵌入式糾錯(cuò)碼邏輯大大提高了數(shù)據(jù)完整性。

所有功能

與串行外設(shè)接口 (SPI) 總線兼容

內(nèi)存陣列

64 Kbit（8 K 字節(jié)）EEPROM

頁大?。?2 字節(jié)

塊寫保護(hù)：1/4、1/2 或整個(gè)存儲(chǔ)器

附加寫入鎖定頁（識(shí)別頁）

擴(kuò)展的溫度和電壓范圍

高達(dá) 105 °C（VCC 從 1.7 V 至 5.5 V）

高速時(shí)鐘頻率

VCC ≥4.5 V 時(shí)為 20 MHz

VCC ≥2.5 V 時(shí)為 10 MHz

VCC ≥ 1.7 V 時(shí)為 5 MHz

用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入

寫入周期時(shí)間短

字節(jié)寫入 4 毫秒內(nèi)

頁寫入 4 毫秒內(nèi)

寫入周期耐久性

25°C 時(shí) 400 萬次寫入循環(huán)

120 萬次寫入循環(huán)（85°C 時(shí)

90 萬次寫入循環(huán)（105°C 時(shí)

數(shù)據(jù)保存

105°C 時(shí)超過 50 年

55°C 時(shí) 200 年

靜電放電保護(hù)（人體模型）

4000 V

封裝

符合 RoHS 規(guī)范，無鹵素 (ECOPACK2?)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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