STB41N40DM6AG 是采用 D2PAK 封裝的汽車級(jí) N 溝道 400V、典型值 0.050Ω、41A、MDmesh? DM6 功率 MOSFET。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 400 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 41A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 65 毫歐 @ 20.5A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 53 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±25V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 2310 pF @ 100 V  

功率耗散（最大值） 250W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

等級(jí) 汽車級(jí)  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263）  

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 

產(chǎn)品特性

快速恢復(fù)體二極管

與上一代產(chǎn)品相比，單位面積 RDS(on) 更低

柵極電荷、輸入電容和電阻低

100% 通過(guò)雪崩測(cè)試

極高的 dv/dt 強(qiáng)度

齊納保護(hù)

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