商品名稱:FF17MR12W1M1HP
數(shù)據(jù)手冊(cè):FF17MR12W1M1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FF17MR12W1M1HP IGBT模塊(帶CoolSiC? MOSFET)具有非常低的雜散電感和出色的效率,因此頻率更高、功率密度更高、冷卻要求更低。1200V、8mΩ半橋模塊采用集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)。xHP_B11型號(hào)提供熱界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍、+23V或-10V的最大柵極-源極電壓以及17mΩ或33mΩ的漏極-源極電阻選項(xiàng)。集成式安裝夾確保牢固的安裝。
特性
● 同類最佳封裝,尺寸為62.8mm x 33.8mm x 12mm(LxWxH)
● 將先進(jìn)的WBG材料和簡(jiǎn)易模塊封裝結(jié)合在一起
● 模塊雜散電感非常低
● 寬RBSOA
● 1200V CoolSiC MOSFET,采用增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)
● 擴(kuò)展的推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口:0至5V和+15V至+18V
● 擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓:+23V和-10V
● 漏極-源極導(dǎo)通電阻選項(xiàng):17mΩ或33mΩ
應(yīng)用
● 高頻開關(guān)應(yīng)用
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
● UPS系統(tǒng)
● 電動(dòng)汽車用直流充電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSC0901NSI
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IPC100N04S5-1R9是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,隸屬于英飛凌的OptiMOS? 5系列。IKW40N65H5
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IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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