2ED2101S06F 是一款集成自舉二極管的650V高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器IC，采用DSO-8封裝，具有典型的0.29 A源電流和0.7 A灌電流，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。2ED2101S06F對VS引腳上的負(fù)瞬態(tài)電壓具有出色的耐用性和抗擾度。由于器件中不存在寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，因此在所有溫度和電壓條件下都不會發(fā)生寄生閂鎖。

規(guī)格

驅(qū)動配置：高壓側(cè)和低壓側(cè)

通道類型：獨(dú)立式

驅(qū)動器數(shù)：2

柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：10V ~ 20V

邏輯電壓 - VIL，VIH：1.1V，1.7V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：650 V

上升/下降時間（典型值）：70ns，35ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8-69

基本產(chǎn)品編號：2ED2101

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