商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TSON-12
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IQFH36N04NM6 OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET 采用緊湊型、高性能 PQFN 8x6 封裝,具有業(yè)內(nèi)基準(zhǔn) RDS(on) 值。
這款 40 V 正常電平功率 MOSFET 采用我們最新的創(chuàng)新型緊湊型夾式 PQFN 8x6 mm2 封裝,具有極高的電流和功率水平。該器件具有當(dāng)前業(yè)界最佳的 0.36 mΩ RDS(on),并具有出色的熱性能。
這為電池供電應(yīng)用、電池管理、低壓驅(qū)動(dòng)和 SMPS 等各種終端應(yīng)用帶來了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。
參數(shù): IQFH36N04NM6
最大內(nèi)徑(25°C 時(shí)): 656 A
最低和最高工作溫度: -55 °C 175 °C
封裝: PQFN 8x6
極性: N
QG(典型值 @10V): 206 nC
RDS(導(dǎo)通)(10V 時(shí))最大值: 0.36 mΩ
VDS 最大值: 40 V
VGS(th) 最小值 最大值: 2.3 V 1.8 V 2
特性描述
尖端 OptiMOS? 硅技術(shù)
高芯片/封裝比
超高電流,占用空間小
超低封裝寄生
優(yōu)化的引線框架和 Cu-Clip 設(shè)計(jì)
與 PQFN 5x6 基底面兼容
布局緊湊,減少并聯(lián)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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