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產(chǎn)品分類

AI 處理器

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商品型號:UF3SC065030B7S

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Qorvo

年份:24+

封裝:D2PAK-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Qorvo
型號
UF3SC065030B7S
封裝
D2PAK-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 650 V 62A(Tc) 214W(Tc) D2PAK-7

產(chǎn)品描述

UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm 高性能SiC FET基于獨特“共源共柵”的電路配置,配置包括一個常開型SiC JFET,可與Si MOSFET共同封裝,產(chǎn)生常閉型SiC FET器件。該器件采用D2PAK-7L封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,非常適合開關(guān)感性負載以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。


UF3SC065030B7S的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:11 ns, 9 ns

Id-連續(xù)漏極電流:62 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

濕度敏感性:Yes

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:D2PAK-7

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

Pd-功率耗散:214 W

產(chǎn)品:SiC FETs

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:43 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:27 mOhms

上升時間:26 ns, 28 ns

系列:UF3SC

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

商標名:SiC FET

晶體管極性:N-Channel

類型:SiC FET

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns

典型接通延遲時間:23 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:6 V

單位重量:4.675 g


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常見問題

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Qorvo

Qorvo

Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計經(jīng)驗,全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…

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