汽車IGBT模塊 MSCSM120TAM16CTPAG 728W分立半導(dǎo)體模塊

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品：功率MOSFET模塊

類型：相位腳

技術(shù)：SiC

Vf - 正向電壓：1.5 V，50 A

Vr - 反向電壓：1.2 kV

Vgs - 門源電壓：- 10 V, + 25 V

安裝方式：螺釘安裝

封裝/外殼：SP6P

最低工作溫度：- 40 C

最高工作溫度：+ 125 C

下降時(shí)間：25 ns

Id - 連續(xù)漏極電流：171 A

Pd - 功率耗散：728 W

特點(diǎn)

SiC功率MOSFET

低RDS(on)

高溫性能

非常低的雜散電感

用于溫度監(jiān)測的內(nèi)部熱敏電阻

氮化鋁（AlN）襯底，提高了熱性能

高功率和高效的轉(zhuǎn)換器和逆變器

高頻運(yùn)行時(shí)性能突出

直接安裝到散熱器上（隔離式封裝）

結(jié)點(diǎn)對外殼的熱阻低

電源和信號(hào)的可焊接端子，便于PCB安裝

MSCSM120TAM16CTPAG是一個(gè)3相腳1200V/171A全碳化硅（SiC）功率模塊。

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