LFD2NX-17-8MG121C采用低功耗的28納米FD-SOI技術(shù)。它將FPGA的極端靈活性與FD-SOI技術(shù)的低功耗和高可靠性結(jié)合起來，并提供小尺寸的封裝選項(xiàng)，每平方毫米有大量的I/O設(shè)計(jì)安全功能。

產(chǎn)品屬性

邏輯元件的數(shù)量： 17000 LE

I/O數(shù)量：71 I/O

電源電壓 - 最小值： 950 mV

電源電壓 - 最大：1.05 V

最低工作溫度： 0 C

最高工作溫度： + 85 C

安裝方式： SMD/SMT

封裝/外殼：csfBGA-121

分布式RAM：80 kbit

嵌入式塊狀RAM - EBR：24 kbit

最大工作頻率：500 MHz

工作電源電壓：1 V

功能特點(diǎn)

可編程架構(gòu)

17k至39k邏輯單元

24至56個(gè)sysDSP?塊（18 x 18乘法器）。

2.5至2.9Mb的嵌入式存儲(chǔ)器（EBR，LRAM）。

78至192個(gè)可編程sysI/O（高性能和寬范圍I/O）。

可編程sysI/O支持多種接口

底部I/O庫的高性能（HP）I/O

支持高達(dá)1.8 V的VCCIO

支持混合電壓（1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V）。

高速差分高達(dá)1.5Gbps

左、右和頂部I/O庫的寬范圍（WR）I/O

支持高達(dá)3.3 V的VCCIO

支持混合電壓（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V）。

可編程回轉(zhuǎn)率（慢、中、快）。

受控的阻抗模式

支持模擬LVDS

支持熱插拔

集成電路芯片LFD2NX-17-8MG121C現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列IC

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