IAUZN04S7L046是一款大電流、低 RDS(on)功率 MOSFET，采用 3x3mm2 高級無引線封裝，帶 Cu-Clip 以實現(xiàn)低封裝 Ron 和最小雜散電感，具有高功率密度、低傳導損耗和優(yōu)化的開關性能，與傳統(tǒng)有引線封裝相比外形尺寸更小，是配電、車身控制模塊和電機等汽車應用的理想之選。

IAUZN04S7L046 的特點

3x3 mm2 小尺寸

60 A 大電流能力

采用領先的 OptiMOS-7? 40V 技術

RDS(on)范圍： 1.2 mΩ - 4.9 mΩ

先進的無引線封裝，可實現(xiàn)低羅恩和低電感

高雪崩能力和 SOA 強度

IAUZN04S7L046 的優(yōu)勢

最高功率和電流密度

高熱容量引腳框封裝

降低傳導損耗

優(yōu)化開關行為

與傳統(tǒng)封裝相比，外形尺寸更小

JEDEC 行業(yè)標準封裝 PG-TSDSON-8

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