IGLR65R200D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分，它符合最高質量標準，實現了具有卓越效率的高可靠性設計。

它采用底部冷卻 ThinPAK 封裝，非常適合外形纖薄的消費類應用。

IGLR65R200D2特性概述：

650 V 電子模式功率晶體管

超快開關

無反向恢復電荷

能夠反向傳導

低柵極電荷、低輸出電荷

卓越的換向堅固性

低動態(tài) RDS(on)

高 ESD 魯棒性：2 kV HBM - 1 kV CDM

底部冷卻封裝

通過 JEDEC 認證（JESD47、JESD22）

IGLR65R200D2規(guī)格：

產品種類: GaN 場效應晶體管

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 9.2 A

Rds On-漏源導通電阻: 240 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 1.8 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 33 W

通道模式: Enhancement

封裝 / 箱體: PG-TSON-8

IGLR65R200D2潛在應用：

基于半橋硬開關和軟開關拓撲（如圖騰開關）的工業(yè)、電信、數據中心 SMPS 以及充電器和適配器。以及充電器和適配器。

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