NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET,以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設備等領域的理想選擇。
NIS5132MN4TXGHW 采用先進的溝槽柵工藝制造,具有以下突出特點:
低導通電阻: NIS5132MN4TXGHW 的導通電阻 (RDS(on)) 低至 3.2mΩ,能夠有效降低導通損耗,提高系統(tǒng)效率。
高開關速度: NIS5132MN4TXGHW 具有極低的柵極電荷 (Qg) 和輸出電荷 (Qoss),能夠?qū)崿F(xiàn)高速開關,降低開關損耗。
優(yōu)異的雪崩耐量: NIS5132MN4TXGHW 具有優(yōu)異的雪崩耐量,能夠承受高能量的雪崩擊穿,提高系統(tǒng)可靠性。
符合 RoHS 標準: NIS5132MN4TXGHW 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品規(guī)格
寬輸入電壓范圍:支持 4.5V 至 28V 的輸入電壓
可調(diào)輸出電壓:輸出電壓可通過外部電阻設置
高效率:在額定負載下,效率可達到 90% 以上
過流保護:內(nèi)置過流限制功能,確保電路安全
封裝類型:采用 SOP-8 封裝,適合緊湊型設計
工作溫度范圍:-40°C 至 85°C
PWM 調(diào)制支持:支持 PWM 模式,可實現(xiàn)精確的負載調(diào)節(jié)
NIS5132MN4TXGHW 應用領域廣泛
NIS5132MN4TXGHW 可廣泛應用于各種需要高效率、高可靠性的領域,例如:
工業(yè)控制: 電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等。
汽車電子: 電動助力轉(zhuǎn)向、電池管理系統(tǒng)、車載充電器等。
通信設備: 基站電源、服務器電源、網(wǎng)絡設備等。
消費電子: 筆記本電腦適配器、游戲機電源、液晶電視等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NCV8460ADR2G
NCV8460ADR2G——具有溫度關斷和電流限制功能的自保護高壓側(cè)驅(qū)動器型號:NCV8460ADR2G封裝:SOIC-8類型:自保護高壓側(cè)驅(qū)動器 NCV8460ADR2G 是一款完全受保護的高壓側(cè)驅(qū)動器,可用于開關各種負載,如燈泡、螺線管和其他觸發(fā)器。該器件內(nèi)部具有主動限流和熱關斷功能,可防止…NCV0372BDWR2G
NCV0372BDWR2G是一種單片電路,可用作伺服放大器和電源等多種應用中的功率運算放大器。NTMFS4925NT1G
NTMFS4925NT1G是一款高性能 N 通道功率 MOSFET,專為高效率、低功耗應用設計。LB11988V
LB11988V是一款電機驅(qū)動器 IC,最適合用于驅(qū)動直流風扇電機。NTBGS001N06C
NTBGS001N06C是一款小尺寸、設計緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動器損耗。基本參數(shù)晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:342 ARds On-漏源導通電阻:…NVMJST1D4N06CLTXG
NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝,設計緊湊高效,具有高散熱性能。通過AEC-Q101認證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級可靠性的汽車應用。基本參數(shù)Vds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:198 ARds On-漏源導通電阻:1.49 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: