LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關模式電源轉(zhuǎn)換器。LMG3522R030集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達150V/ns的開關速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關SOA。這種集成與TI’的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在20V/ns至150V/ns之間，可用于主動控制EMI并優(yōu)化開關性能。

特性

帶集成柵極驅(qū)動器的650V GaN-on-Si FET

集成高精度柵極偏置電壓

FET保持關斷：200V/ns

開關頻率：2MHz

20V/ns至150V/ns壓擺率，用于優(yōu)化開關性能和緩解EMI

在7.5V至18V電源下工作

高級電源管理

數(shù)字溫度PWM輸出

強大的保護功能

響應時間少于100ns的逐周期過流和鎖存短路保護

硬開關時可承受720V浪涌

針對內(nèi)部過熱和UVLO監(jiān)控的自我保護

頂部冷卻12mm x 12mm VQFN封裝可隔離電氣和熱路徑，實現(xiàn)最低功耗環(huán)路電感

應用

開關模式電源轉(zhuǎn)換器

商戶網(wǎng)絡和服務器PSU

商用電信用整流器

光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器

不間斷電源

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