VNS1NV04DP 是由兩個單片 OMNIFET II 芯片封裝在一個標準 SO-8 封裝。OMNIFET II 是采用 STMicroelectronics VIPower? M0-3 設計技術：它們旨在替代從直流到 50KHz 標準功率 MOSFET應用程序。內置熱關斷，線性電流限制和過壓鉗位保護芯片在惡劣的環(huán)境中。故障反饋可以通過監(jiān)控來檢測輸入引腳上的電壓。

規(guī)格參數(shù)

開關類型 通用   

輸出數(shù) 2   

比率 - 輸入:輸出 1：1   

輸出配置 低端   

輸出類型 N 通道   

接口 開/關   

電壓 - 負載 36V（最大）   

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 不需要   

電流 - 輸出（最大值） 1.7A   

導通電阻（典型值） 250 毫歐（最大）   

輸入類型 非反相   

特性 -   

故障保護 限流（固定），超溫，過壓   

工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）   

安裝類型 表面貼裝型   

供應商器件封裝 8-SOIC   

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 

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