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Microchip A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA產(chǎn)品概述

Microchip A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA產(chǎn)品概述

來源:本站時間:2024-12-14瀏覽數(shù):

產(chǎn)品概述:A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA是唯一集成FPGA結(jié)構(gòu)、Arm Cortex -M3處理器和可編程模擬電路的器件,提供完全定制和ip保護的優(yōu)勢,同時仍然易于使用。SmartFusion SoC FPGA基于專有閃存工藝,非常適合需要真正的SoC解決方案的硬件和嵌入式設(shè)計…

產(chǎn)品概述:

A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA是唯一集成FPGA結(jié)構(gòu)、Arm Cortex -M3處理器和可編程模擬電路的器件,提供完全定制和ip保護的優(yōu)勢,同時仍然易于使用。


SmartFusion SoC FPGA基于專有閃存工藝,非常適合需要真正的SoC解決方案的硬件和嵌入式設(shè)計人員,這種解決方案比傳統(tǒng)的固定功能微控制器具有更大的靈活性,而沒有傳統(tǒng)FPGA上軟處理器內(nèi)核的過高成本。

功能框圖.png

特征:

微控制器系統(tǒng)(MSS):

100 MHz 的 32 位 ARM? Cortex?-M3,零等待狀態(tài)存儲器實現(xiàn) 1.25 DMIPS/MHz 吞吐量

存儲器保護單元(MPU)

單周期乘法,硬件除法

JTAG 調(diào)試(四線),串行線調(diào)試(SWD–雙線)和單線瀏覽器(SWV)接口

嵌入式 Flash 存儲器(eNVM),64K 字節(jié)~512K 字節(jié)

嵌入式高速 SRAM(eSRAM),16K 字節(jié)~64K 字節(jié),含 2 個物理塊,2 個不同主機可同時訪問它

片上存儲器的帶寬最高可達 16 Gbps

帶 RMII 接口的 10/100 以太網(wǎng) MAC

可編程的外部存儲器控制器

異步存儲器

NOR Flash,SRAM,PSRAM

同步 SRAM

兩個 I2C 外設(shè)

兩個 16550 UART

兩個 SPI 外設(shè)

兩個 32 位定時器

32 位看門狗定時器

8 通道 DMA 控制器

1.5 MHz~20 MHz 主振蕩器

電池供電的、帶實時計數(shù)器(RTC)的 32 KHz 低功率振蕩器

精度為 1%的 100 MHz 嵌入式 RC 振蕩器

帶 4 個輸出相位的嵌入式 PLL


高性能FPGA:

采用基于 Flash 的、130nm、7 層金屬的 CMOS 工藝

非易失,斷電時保留程序

350 MHz 系統(tǒng)性能

嵌入式 SRAM 與 FIFO

SRAM block 的長寬比可調(diào)節(jié)

可選用×1,×2,×4,×9 與×18 組合

真實雙端口 SRAM(×18 組合除外)

可編程的嵌入式 FIFO 控制邏輯

通過 JTAG 采用 128 位高級加密標(biāo)準(zhǔn)(AES)解密技術(shù)實現(xiàn)安全 ISP

采用 FlashLock 技術(shù)保護 FPGA 內(nèi)容

5 個時鐘調(diào)節(jié)電路(CCC)模塊,每個模塊最多可帶 2 個集成模擬 PLL

相移、分頻/倍頻、延時等均可配置

頻率:輸入為 1.5~350 MHz,輸出為 0.75~350 MHz


可編程模擬前端(AFE):

最多可包含 3 個 12 位 SAR ADC

12 位模式時的速率為 500 Ksps

8 位和 10 位模式時的速率為 600 Ksps

2.56V 內(nèi)部參考電壓或者外部參考電壓

每個 ADC 包含一個一級 Sigma-Delta(Σ- )DAC

12 位 500 Ksps 更新速率

每個器件最多可包含 5 個新的高性能模擬信號調(diào)節(jié)模塊(SCB),每個模塊包括:

2 個高電壓雙極電壓監(jiān)控器(4 個輸入的電壓為±2.5V~-11.5/+14V),精度為 1%

高增益電流監(jiān)控器,差分增益=50,共模電壓高達 14V

溫度監(jiān)控器(12 位模式時的分辨率=1/4℃;準(zhǔn)確溫度范圍是-55℃~150℃)

多達 10 個高速比較器(tpd = 50ns)


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