一般說明MX35LF2G14AC-Z4I是一款帶串行接口的 2Gb SLC NAND 閃存設備。該器件的存儲器陣列采用了與并行 NAND 相同的單元結構，但實現了行業(yè)標準的串行接口。該器件需要主機側的微控制器來支持 4 位 ECC/528 字節(jié)操作。深圳市明佳達電子有限公司【供應】3V，2G 位串行 NAN…
一般說明
MX35LF2G14AC-Z4I是一款帶串行接口的 2Gb SLC NAND 閃存設備。
該器件的存儲器陣列采用了與并行 NAND 相同的單元結構，但實現了行業(yè)標準的串行接口。
該器件需要主機側的微控制器來支持 4 位 ECC/528 字節(jié)操作。
深圳市明佳達電子有限公司【供應】3V，2G 位串行 NAND 閃存 MX35LF2G14AC-Z4I 存儲芯片，只做原裝，價格優(yōu)勢，請致電咨詢！
特點
? 2GB SLC NAND 閃存
- 總線：x4
- 頁大小：(2048+64) 字節(jié)
- 塊大?。?128K+4K) 字節(jié)
- 需要 4 位 ECC 528B
? 快速讀取訪問
- 支持 x1 x2 和 x4 模式的隨機數據讀取，（1-1-1,1-1-2, 1-1-4）注 1
- 陣列到寄存器的延遲：25us
- 頻率：104MHz
? 頁面編程操作
- 頁面編程時間 300us (typ)
? 塊擦除操作
- 塊擦除時間：1ms（典型值）
? 單電壓操作：
- VCC: 2.7 至 3.6V
? 用于塊組保護的 BP 位
? 低功耗
- 最大 30mA 有效電流（讀取/編程/擦除）
? 睡眠模式
- 50uA （最大）待機電流
? 高可靠性
- 編程/擦除耐久性： 典型 100K 周期（每 512+16 字節(jié)有 4 位 ECC
- 數據保存 10 年
? 寬溫工作范圍：-40°C 至 +85°C
? 封裝：8-WSON（8x6 毫米）
如有興趣，請聯(lián)系陳先生：
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