深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝正品英飛凌閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲(chǔ)器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC一般說明S79FL512SDSMFBG03器件用單個(gè) CS# 連接兩個(gè)四路 I/O SPI 器件,形成八位 I/O 數(shù)據(jù)路徑。這種字節(jié) I/O 接口稱為雙四路 I/O。這些器件通…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司原裝正品英飛凌閃存芯片_S79FL512SDSMFBG03_NOR Flash 存儲(chǔ)器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC
一般說明
S79FL512SDSMFBG03器件用單個(gè) CS# 連接兩個(gè)四路 I/O SPI 器件,形成八位 I/O 數(shù)據(jù)路徑。這種字節(jié) I/O 接口稱為雙四路 I/O。這些器件通過 SPI 連接到主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單位串行輸入和輸出(IO1 和 IO5),以及四位(Quad I/O 或 QIO)串行命令。這種多寬度接口稱為 SPI 多 I/O 或 MIO。此外,這兩款器件還增加了對(duì) QIO 的 DDR 讀取命令的支持,可在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。Eclipse 架構(gòu)具有一個(gè)頁(yè)面編程緩沖區(qū),允許在一次操作中編程多達(dá) 256 個(gè)字(512 字節(jié))或 512 個(gè)字(1024 字節(jié)),從而使有效編程(分別高達(dá) 2 MB/s 或 3 MB/s)和擦除(高達(dá) 1 MB/s)的速度大大快于上一代 SPI 編程或擦除算法。直接從閃存執(zhí)行代碼通常稱為就地執(zhí)行(XIP)。通過以支持的更高時(shí)鐘速率使用 S79FL-S 器件和 QIO 或 DDR-QIO 命令,指令讀取傳輸速率可以達(dá)到或超過傳統(tǒng)的并行接口、異步、NOR 閃存,同時(shí)大幅減少信號(hào)數(shù)量。S79FL-S 產(chǎn)品具有高密度和各種嵌入式應(yīng)用所需的最快讀寫性能。它們是代碼陰影、XIP 和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
存儲(chǔ)容量: 512 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流(最大值): 180 mA
接口類型: SPI
最大時(shí)鐘頻率: 80 MHz
組織: 64 M x 8
數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit
定時(shí)類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
主要特點(diǎn)
高可靠性:支持工業(yè)級(jí)溫度范圍,適合嚴(yán)苛環(huán)境。
快速讀取性能:提供高速數(shù)據(jù)訪問,滿足實(shí)時(shí)處理需求。
低功耗設(shè)計(jì):適合電池供電或低功耗應(yīng)用。
兼容性強(qiáng):支持與多種微控制器和處理器直接連接。
長(zhǎng)壽命:支持高擦寫次數(shù),適合頻繁更新的應(yīng)用場(chǎng)景。
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