三星電子近日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產。今年四月，三星啟動了其首批三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產，隨后又率先實現(xiàn)了QLC 第九代V-NAND的量產，這進一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。三…
三星電子近日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產。
今年四月，三星啟動了其首批三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產，隨后又率先實現(xiàn)了QLC 第九代V-NAND的量產，這進一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。
三星電子執(zhí)行副總裁兼閃存產品與技術負責人SungHoi Hur表示：
在距上次TLC版本量產僅四個月后，QLC第九代V-NAND產品成功啟動量產，使我們能夠提供，能夠滿足人工智能時代需求的完整陣容的SSD解決方案。隨著企業(yè)級SSD市場呈現(xiàn)日益增長的趨勢，對人工智能應用的需求更加強勁，我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續(xù)鞏固三星在該領域的市場地位。
三星計劃擴大QLC第九代V-NAND的應用范圍，從品牌消費類產品開始，擴展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務器SSD，為包括云服務提供商在內的客戶提供服務。
三星QLC第九代V-NAND綜合運用多項創(chuàng)新成果，實現(xiàn)了多項技術突破。
? 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術（Channel Hole Etching），能夠基于雙堆棧架構實現(xiàn)當前業(yè)內最高的單元層數(shù)。三星運用在TCL第九代V-NAND中積累的技術經驗，優(yōu)化了存儲單元面積及外圍電路，位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。
? 預設模具（Designed Mold）技術能夠調整控制存儲單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內和單元層之間的存儲單元的特性保持一致，達到最佳效果。V-NAND層數(shù)越多，存儲單元特性越重要。采用預設模具技術使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約20%，增強了產品的可靠性。
? 預測程序（Predictive Program）技術能夠預測并控制存儲單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作。這項技術進步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%。
? 低功耗設計（Low-Power Design）技術使得數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項技術降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓，能夠僅感測必要的位線（BL），從而盡可能減少功耗。
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