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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IMW65R010M2H

產(chǎn)品說明：650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

產(chǎn)品說明：670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

產(chǎn)品說明：670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

產(chǎn)品說明：650V，CoolGaN? G5 系列 - GaN 功率晶體管，PG-TSON-8

封裝：PG-TSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH50N67PR7

產(chǎn)品說明：670 V、50 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4000UXTR33T2M1

產(chǎn)品說明：3.3kV，4.0 mΩ，XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

封裝：模塊
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH40N67PR7

產(chǎn)品說明：670 V、40 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5SC

產(chǎn)品說明：150V，OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 晶體管，PG-WHSON-8

封裝：PG-WHSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5CGSC

產(chǎn)品說明：150V，OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 晶體管，PG-WHTFN-9

封裝：PG-WHTFN-9
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLT65R110D2

產(chǎn)品說明：CoolGaN? 晶體管 650 V G5

封裝：PG?HDSOP?16
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTG025N15NM6

產(chǎn)品說明：150V，OptiMOS? 6 功率 MOSFET晶體管，PG-HSOG-8

封裝：PG-HSOG-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R270D2

產(chǎn)品說明：CoolGaN? 晶體管 650 V G5

封裝：PG?TSON?8
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT023N10NM5LF2

產(chǎn)品說明：100V、2.3mΩ、243A，OptiMOS? 5 單N-通道MOSFET晶體管

封裝：PG-HSOF-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R200D2

產(chǎn)品說明：CoolGaN? 晶體管 650 V G5

封裝：PG?TSON?8
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60R015CFD7

產(chǎn)品說明：600V，CoolMOS? CFD7 N-通道功率MOSFET晶體管，PG-HDSOP-22

封裝：PG-HDSOP-22
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDD60R180CM8

產(chǎn)品說明：600V，CoolMOS? 8 N-通道功率MOSFET晶體管，PG-HDSOP-10

封裝：PG-HDSOP-10
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共5137記錄?上一頁1... 56789101112...322下一頁?
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