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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

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【2025年2月21日】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)…

【2025年2月21日】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。

QQ圖片20250221102656.png

CoolSiC? MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC


這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2(G2) 技術(shù),其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源(SMPS)開發(fā),包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工具和人形機(jī)器人、電視機(jī)、驅(qū)動(dòng)器以及固態(tài)斷路器。


TOLL封裝具有出色的板載熱循環(huán)(TCoB)能力,可通過(guò)減少印刷電路板(PCB)占板面積實(shí)現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在用于SMPS時(shí),它還能減少系統(tǒng)級(jí)制造成本。TOLL封裝現(xiàn)在適用于更多目標(biāo)應(yīng)用,使PCB設(shè)計(jì)者能夠進(jìn)一步降低成本并更好地滿足市場(chǎng)需求。


Q-DPAK封裝的推出補(bǔ)充了英飛凌正在開發(fā)的新型頂部冷卻(TSC)產(chǎn)品,包括CoolMOS? 8、CoolSiC?、CoolGaN?和OptiMOS?。TSC產(chǎn)品使客戶能夠以低成本實(shí)現(xiàn)出色的穩(wěn)健性以及更大的功率密度和系統(tǒng)效率,還能將直接散熱率提高至95%,通過(guò)實(shí)現(xiàn)PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應(yīng)。


可用性


采用 TOLL 封裝的 CoolSiC? MOSFET 650 V G2 現(xiàn)在提供 R 封裝DS(開)從 10 到 60 mΩ,而 Q-DPAK 型號(hào)有 7、10、15 和 20 mΩ 可供選擇。


相關(guān)型號(hào)


FS01MR08A8MA2LBC:高度緊湊的 B6 橋功率模塊 (750V/620A),采用增強(qiáng)型封裝,針對(duì)各種逆變器功率等級(jí)進(jìn)行了優(yōu)化。


FS02MR12A8MA2B:高度緊湊的 B6 橋功率模塊 (1200V/390A),采用增強(qiáng)型封裝,針對(duì)各種逆變器功率等級(jí)進(jìn)行了優(yōu)化。

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