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意法半導體功率晶體管_STGB19NC60KDT4_短路保護IGBT 20 A、600 V

意法半導體功率晶體管_STGB19NC60KDT4_短路保護IGBT 20 A、600 V

來源:本站時間:2025-02-22瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司推出意法半導體功率晶體管_STGB19NC60KDT4_短路保護IGBT 20 A、600 V、125 W 表面貼裝型 D2PAK描述:STGB19NC60KDT4一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該器件采用先進的 PowerMESH? 技術,具有…

深圳市明佳達電子有限公司推出意法半導體功率晶體管_STGB19NC60KDT4_短路保護IGBT 20 A、600 V、125 W 表面貼裝型 D2PAK


描述:

STGB19NC60KDT4一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該器件采用先進的 PowerMESH? 技術,具有卓越的開關性能和低導通損耗。


STGB19NC60KDT4廣泛應用于以下領域:

工業(yè)驅動:電機控制、焊接設備、數(shù)控機床等

電源系統(tǒng):開關電源、逆變器、充電器

可再生能源:太陽能逆變器、風力發(fā)電

電動汽車:電機驅動


型號:STGB19NC60KDT4

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 600 V  

電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 35 A  

電流 - 集電極脈沖 (Icm) :75 A  

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值) :2.75V @ 15V,12A  

功率 - 最大值: 125 W  

開關能量: 165μJ(導通),255μJ(關斷)  

輸入類型: 標準  

柵極電荷: 55 nC  

25°C 時 Td(開/關)值: 30ns/105ns  

測試條件: 480V,12A,10 歐姆,15V  

反向恢復時間 (trr) :31 ns  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

封裝/外殼: TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB  

供應商器件封裝: D2PAK 


公司主頁:http://m.thaibai.com/

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